오늘은 SONY 18650-VTC5 입니다.

DATASHEET를 아무리 찾아 봐도 안나오네요.

제조사 SONY 홈페이지 가서 찾아도 안나오고요.

이쯤 되면 이제 저같은 쟁이들은 의심하게 하죠... " 진짜 SONY 꺼 맞어?? "

뭐 저만 그런게 아니고 여러나라 많은 분들이 벌써 인터넷에서 이런 저런 이야기를 하는것 같네요.

이야기들은 SONY에서 OEM으로 공구류등의 배터리팩등으로 생산한 제품인데 중국쪽에서 뒷구멍으로 풀려서 계속 돌아다니는것 같습니다.

그리고 가짜도 유통 되고 있고, 구분법도 있습니다. 아래 참고 하시길 바랍니다.

이런 정보들이 무슨 전자 관련 싸이트에서 나오는게 아니고, 대부분 "전자담배" 관련 싸이트에서 정보들이 나오네요.

대방전 배터리 수요도 그쪽으로 몰리고요. 

순간 방전량이 커야 (내부저항이 적은것) 무화량이라고 연기가 많이 나오나 봅니다.(그냥 담배를 피지....)

저 무화량을 늘리기 위해서 대방전을 계속 시도하고, 배터리가 막 터지고 그러나 봅니다...

진짜,가짜 구분법입니다.

http://www.grimmgreen.com/post/91227827828/real-vs-fake-sony-batteries

아무튼 스펙이 없으니 그냥 판매상 웹에서 긁어 옵니다.

SONY 제조사 SPEC이 아니니 그려려니 합니다.

이게 판매상마다 조금씩 틀리니 뭐....어쩔 수 없습니다.

제가 가지고 있는 CELL로 테스트시에 완충후 0.6A방전시 2381mAh 에너지가 나오네요. 

스펙보다는 약간 적게 나오는데 가지고 있는 CELL들이 대부분 적에 방전 됩니다.

용량 표기는 2600mAh인데 실제 사용은 2300mAh정도에 맞춰 사용하는게 맞는것 같네요.

방전 곡선입니다. 전에 이야기 한번 했듯이 방전 곡선은 대전류 방전시 최소 유지 전압이 얼마나 유지 되는지가 관건입니다.

3.0V에서 보통 cut off하면 생각보다 잘 버텨 주는것 같습니다.

잠시 배터리 쪽은 신경도 안쓰고 있었는데...

국내 굴지의 스마트폰도 결국 배터리 일체형으로 가다보니 외장형 배터리 팩 수요가 정말 폭발적으로 

늘어나는것 같네요.

거기에 중국발 제조산업의 물량 조절 실패로, 저가의 배터리 팩이 넘쳐 나고 있네요.

뭐..아무튼

그냥 사무실에 배터리가 있길래 특성을 한번 봤습니다.

INR18650-20R.pdf

위 첨부는 배터리 스펙입니다.

간단하게 큰 특징만 보면 

-Standard charge에서는 3시간(1A)

-Rapid Charge에서는 50분(4A) 하지만 일반 충전기에서는 4A출력이 안나오므로, 

  이 특성을 전용 충전기가 아니면 일반적으로 활용하기는 어렵겠죠. 보통 1A 이하 입니다.

-Discharge는 22A로 어마어마 합니다.

수명은 간단하게 250번 사용하면 용량이 2000mAh에서 1200mAh로 60%까지 줄어 들게 됩니다. 

화학적 변화로 사용 할수록 조금씩 용량이 줄으 들겠죠.

실제 가지고 있는 새배터리로 테스트 해봤는데요 Stardard charge 후, 

3.0V cutoff로 0.6A로 방전시 2159mAh 에너지가 방전 되었습니다.

아래는 방전 곡선인데 출처가 있으니 걍 가져다 씁니다.

방전곡선 살펴볼때의 주 포인트는 배터리가 2000mAh에 20C 스펙이면 20A 방전시 어느 전압으로 버텨내는 지가 포인트 입니다.

20A방전시 하얀색 선을 보면 3.0V위에서 꿋꿋하게 버텨주는거 보면 썩 괜찮은 스펙입니다.

배터리 스펙이 안좋으면 고방전시 바로 3.0V아래로 떨어 집니다.

main.c

위 첨부는 ST 예제중인 하나인 내부 SRAM Bitband 시험 예제이고요.

F12 Programming Manual.pdf

위 첨부는 cortex 의 원론적인 내부 명령어 설명서 입니다.

저는 8051코드을 M3로 변환하다 심심해서 사용을 해봤습니다.

아래 예제는 GPIOB 10번, GPIOB 11번 핀을 Peripheral Bitband기능을 이용해서 고속으로 제어 합니다.

실제 scope관측시나, 코드 생성시 비교해보면 당연히 기본 Peripheral lib에서 제공하는 함수 보다 월등히 빠릅니다.

scope캡쳐 해놨는데 사라지고 없네요...ㅋ

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#define PERIPHERAL_BASE       0x40000000

#define PERIPHERAL_BB_BASE    0x42000000

#define GPIOB_ODR             0x40010C0C

#define GPIO_I2C_SCL_BIT      (10)

#define GPIO_I2C_SDA_BIT      (11)

#define  D1_MCU_SCL         *(volatile INT32U *) (PERIPHERAL_BB_BASE | ((GPIOB_ODR - PERIPHERAL_BASE) << 5) | ((GPIO_I2C_SCL_BIT) << 2)) 

#define  D0_MCU_SDA         *(volatile INT32U *) (PERIPHERAL_BB_BASE | ((GPIOB_ODR - PERIPHERAL_BASE) << 5) | ((GPIO_I2C_SDA_BIT) << 2)) 

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정의는 저정도로 하면 되고, #define문은 컴파일시에 계산이 모두되어 상수로 들어가니 연산자가 많다고 실제 코드상에서 실행 속도가 늘어나지는 않습니다.

프로그램 상에서는 아래와 같이 8051처럼 쓰시면 됩니다.

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  D0_MCU_SDA = 0;

  wait_us(1); // 

  D1_MCU_SCL = 1;

주의 할 점은 저렇게 GPIO출력으로 쓰다 보면 무의식적으로 입력을 자연스럽게 아래처럼 받게 됩니다.

당연히 동작이 제대로 안되겠죠.

M3 Core는 입출력 레지스터가 분리되어 있어서 읽어 들일때는 또 다른 define을 정의 해야 합니다. 

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if( D0_MCU_SDA == 0 ) 

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그냥 심심풀이 였습니다.